б, в и г распределение электронов и дырок при нулевом
в i-области: а изображение p-i-n структуры: p область с высокой концентрацией акцепторов, n область с высокой концентрацией доноров, i область почти собственной проводимости имеющая электронный или дырочный характер проводимости;
Рис. 30. Схематическое изображение p-i-n структуры и распределение носителей заряда
Структура pin-диода изображена на рис. 30. В нее входят две сильно легированные области p и n, разделенные областью i с электропроводностью, близкой к собственной. Положительное смещение полупроводника p по отношению к полупроводнику n-типа вызывает перемещение электронов из n-области и одновременно дырок из p-области в собственный полупроводник. Концентрация соответствующих примесей в i-области резко увеличивается, что приводит к значительному уменьшению сопротивления этой области. При противоположном смещении вследствие большой ширины запирающего i-слоя собственного полупроводника сопротивление слоя резко возрастет. При этом емкость перехода практически не изменяется. Изменение сопротивления достигается в интервале от нескольких Ом до десятков кОм. Практическое значение имеет технология изготовления мощных быстродействующих pin-диодов. При толщине i-области 0,01 0,05 см pin-структура способна выдерживать СВЧ напряжения более 1кВ. Основное применение pin-диодов в качестве высоковольтных сильноточных выпрямительных переключательных СВЧ-диодов, лавинно-пролетных диодов, фотодиодов и т. д. [10].
Pin-диодом называется полупроводниковый диод, у которого между областями p- и n-типа содержится слой собственного полупроводника (i-область).
База данных по имеющемуся фонду недвижимости. Описания, фотографии, цены.
Отлично Вполне Средне Так себе Ужасно
Статьи - Электроника - Основы - Pin-диоды
Комментариев нет:
Отправить комментарий